【摘要】：面心四方(fct)结构的相CoPt纳米材料具有高矫顽力、大矩形比、高单轴磁晶各向异性能(4.9×10~7ere/cm~3)等特点,其在超高记录密度磁记录介质方面有很大的应用潜力,本文重点研究相CoPt薄膜的性质,采用磁控溅射的方法在加热到250℃的Si(001)单晶基片上沉积了10nm的MgO薄膜后沉积了40nm的CoPt薄膜,并在350℃,450℃下对样品进行了60min的真空热处理。研究了不同退火温度对CoPt薄膜表面形貌及磁性的影响。实验发现:CoPt薄膜的有序化程度随着热处理温度的升高而增加,促使无序相fcc转化为L10有序相fct结构。

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