金属沉积工艺温度对MIM电容器击穿性能的影响分析

2026.03.24点击:

摘要:阐述集成电路制造中金属薄膜沉积工艺——磁控溅射的技术特点,分析工艺参数(如温度、功率、压力及冷却时间等)对金属薄膜组织结构与表面形貌的影响,进而探讨其对金属-绝缘体-金属电容器击穿特性的作用机制。重点研究成膜温度对铝(Al)薄膜表面形貌及其MIM电容器击穿特性的影响,揭示其内在关联机制。

关键词: 集成电路制造;金属薄膜沉积;磁控溅射;成膜温度;表面形貌;击穿特性;

DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2025.11.220

专辑: 信息科技;工程科技Ⅱ辑

专题: 电力工业;无线电电子学

分类号: TN405;TM53