基于TCAD仿真与工艺验证的半导体器件实验分析
2026.03.27点击：
摘要：阐述一种融合TCAD器件仿真与实验验证的创新实验方法。以GaN micro-LED为分析对象，通过构建"仿真设计-工艺实现-测试验证"的完整实验体系，探讨多量子阱结构参数对器件电学与光学特性的影响规律。
关键词： 半导体器件;电子技术实验;TCAD仿真;GaN micro-LED;特性分析;
DOI： 10.19339/j.issn.1674-2583.2025.11.222
专辑： 信息科技
专题： 无线电电子学
分类号： TN303;TN312.8
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